来源：县域经济网
2026-04-10 17:33:56
作者：余惠玲
编辑：李安琪
责任编辑：付曦地
记者从湖北省科技厅获悉，近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得重大进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET。这一成果标志着实验室在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。
氧化镓被公认为下一代高压功率器件的理想材料。然而，受限于材料与工艺，此前公开的氧化镓MOSFET击穿电压多数低于4000V。本次九峰山实验室团队通过双层源场板结构设计，有效调制器件内部电场分布，成功实现9.02 kV的击穿电压，在超高压电力电子领域展现出巨大应用潜力。
目前，九峰山实验室已具备氧化镓器件研发与流片能力，对外提供氧化镓衬底与外延片、氧化镓科研级单管销售，以及器件流片服务。（记者 余惠玲 通讯员 姜胜来）
